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艾华（无锡）半导体申请等离子增强空间型原子层沉积设备专利，有效控制硅片表面镀膜厚度

0次浏览发布时间：2025-04-05 11:14:00

金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“一种等离子增强空间型原子层沉积设备”的专利，公开号 CN 119753634 A，申请日期为 2024年12月。

专利摘要显示，本发明是一种等离子增强空间型原子层沉积设备，在工艺腔内安装多个匀流单元组成的匀流组件，在工艺腔内不同空间位置提供了不同的反应气体，并通过惰性气体对不同的反应气体进行隔离。把需要工艺的硅片放置在硅片载板上，硅片载板在模组的驱动下在匀流组件的不同反应气体出口处前后摆动，每经过一个反应气体的出口处就会在硅片表面覆盖一层反应气体的原子层；根据生产需要控制硅片载板的摆动次数和速度，即可有效控制硅片表面的镀膜厚度。而通过对真空泵的控制，则可把炉腔内反应残留的工艺气体抽走。

天眼查资料显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本7400万人民币，实缴资本5735万人民币。通过天眼查大数据分析，艾华（无锡）半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可14个。

本文源自金融界

本文分类：实时讯息
本文标签：硅片气体无锡科技有限公司原子半导体等离子专利
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发布日期：2025-04-05 11:14:00
本文链接：https://www.lxbk.net/news/zZWeo3mGkY.html

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